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易恩电气半导体分立器件器件测试系统ENJ2005-B西安易恩电气科技有限公司

所在地区:   时间:2024-12-05  【加入收藏夹关闭

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    设备扩展性强,通过选件可以提高电压、电流和测试品种范围。在PC窗口提示下输入被测器件的测试条件点击即可完成测试任务。系统采用带有开尔文感应结构的测试插座,自动补偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降,保证测试结果准确可靠。面板显示装置可及时显示系统的各种工作状态和测试结果,前面板的功能按键方便了系统操作。通过功能按键,系统可以脱离主控计算机独立完成多种工作。



系统支持 Si 器件和 SiC 器件的静态参数测试。

















ENJ2005-B 半导体分立器件测试系统



测试参数:



漏电参数:IR、ICBO、LCEO/S/X、IDSS/X、IDOFF、IDRM、IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、IR(OPTO)



击穿参数:BVCEO BVCES(300μS Pulse above 10mA)BVDSS、 VD、 BVCBO、 VDRM、 VRRM、 VBB、BVR 、 VD 、VD-、BVDGO、BVZ、BVEBO、 BVGSS、 BVGKO



增益参数:hFE、CTR、gFS、



导通参数:VCESAT、VBESAT、VBEON、 VF、VT、VT 、VT-、 VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VGETH、VTM、VSD、IDON、VSAT、IDON、 Notch = IGT1,IGT4、ICON、VGEON、VO(Regulator)、IIN(Regulator)



混合参数:rDSON、gFS、Input Regulation、Output Regulation



关断参数:VGSOFF



触发参数:IGT、VGT



保持参数:IH、IH 、IH-



锁定参数:IL、IL 、IL-



基础配置:



技术参数



ENJ2005-B型



主极电流



100nA-50A



扩展电流



100A、500A、1000A、1200A



电压分辨率



1mV



电流分辨率



1nA(可扩展至10pA)



测试精度



0.2% 2LSB



测试速度



0.5mS/参数,电 话:19929902667
易恩电气半导体分立器件器件测试系统ENJ2005-B西安易恩电气科技有限公司

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