1861资源网 免费发布信息  该产品具有固态等离子源、分开式反应气体进气系统，动态衬底温控，全面控制真空系统，采用集中现场控制总线技术的nobody控制软件，以及友好用户操作界面来操作。适用于室温至1200℃条件下进行的SiO2、SiNx,、 SiONx a-Si薄膜的沉积，同时可实现TEOS源沉积，SiC膜层沉积以及液态或气态源沉积其它材料，尤其适合于有机材料上高效保护层膜和特定温度下无损伤钝化膜的沉积。
应用领域
等离子诱导表面改性；
等离子清洗；;
等离子聚合;
表面沉积SiOx、SiNx、非晶硅、微晶硅、纳米硅、SiC、类金刚石等多种薄膜;
碳纳米管（CNT）的选择性生长
主要特点
清洗镀膜一气呵成，杜绝二次污染；
上开启结构，式样观察方便；
触屏人机对话整体性操作，安全可靠；;
产品采用全自动控制方式，触摸屏，数字化显示。
真空系统、工作压强、电源系统及自动匹配、工艺气体流量、加热系统、运动系统、工艺过程、系统监控及数据采集等,电 话：0371-63202805
PECVD诺巴迪材料科技有限公司
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